| 发明名称 | 碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。 | ||
| 申请公布号 | CN105164322A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201480024728.6 | 申请日期 | 2014.04.03 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 田中聪;山田俊介;堀井拓;松岛彰;久保田良辅;冲田恭子;西浦隆幸 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面、第二主表面以及第一侧端部的碳化硅单晶衬底，所述第二主表面与所述第一主表面相反，所述第一侧端部将所述第一主表面和所述第二主表面彼此连接，所述第一主表面的宽度的最大值大于100mm；形成与所述第一侧端部、所述第一主表面以及所述第一主表面和所述第一侧端部之间的边界接触的碳化硅外延层；以及去除形成为与所述第一侧端部和所述边界接触的所述碳化硅外延层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||