半导体积体电路的制造方法;METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

摘要

一种半导体积体电路的制造方法被描述。沉积第一膜层于基板上。形成复数个心轴于第一膜层上。沿着心轴之侧壁形成复数个导引间隙壁。之后移除心轴。沉积中性层与嵌段共聚物层于第一膜层及导引间隙壁上。退火嵌段共聚物层，以形成第一高分子奈米结构介于导引间隙壁之间且被第二高分子奈米结构包围。第一高分子奈米结构与第一膜层保持相同之距离。选择性地蚀刻第二高分子奈米结构及中性层，以形成高分子奈米团块。使用高分子奈米团块及导引间隙壁作为蚀刻罩幕，以形成复数个开口于第一膜层中。经由开口蚀刻基板，以形成基板沟槽与基板鳍。