掺杂Ｍｎ之ＰＺＴ系压电体膜形成用组成物及掺杂Ｍｎ之ＰＺＴ系压电体膜;MN DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM FORMING COMPOSITION AND MN DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM

摘要

使用于由掺杂Mn之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成的组成物，含有包含构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇、与聚乙烯基吡咯啶酮，将前述组成物中之金属原子比表示为Pb：Mn：Zr：Ti时，系以Pb满足1.00~1.20、Mn满足0.002以上且未达0.05、Zr满足0.40~0.55、Ti满足0.45~0.60，且前述Zr与前述Ti之金属原子比的合计比例成为1之比例，含有前述PZT系前驱物。