| 摘要 |
［課題］容量の充放電が原因でゲート電極の電圧が上昇して誤作動を起こす可能性を低くすること。［解決手段］半導体装置は、第一導電型のドリフト層２０と、ソース電極９０に接続され、ドリフト層２０上に配置された第二導電型のベース層３０と、ソース電極９０に接続され、ベース層３０を貫通してドリフト層２０まで延びた第二導電型のカラム層５０と、を備える。半導体装置は、カラム層５０の上端の両側に設けられた一対の第一トレンチ６３の内部に配置され、第一絶縁層６２に取り囲まれた一対の第一ゲート電極６１と、ベース層３０に設けられ、第一絶縁層６２のうちカラム層５０側と反対側の側部で当該第一絶縁層６２に隣接し、ソース電極９０に接続される第一導電型のソース領域３１と、を備える。 |
