将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元

摘要

一种SRAM单元，该SRAM单元具有由CMOS技术形成的两个交叉耦合反相器以及第一和第二硫族化物元件，该第一和第二硫族化物元件与SRAM单元相集成，以将非易失性性质添加到存储单元。PCM阻抗被编程为SET状态和RESET状态，并且当加电时，SRAM单元加载包含在PCM单元中的数据。

主权项

一种存储单元，该存储单元包括：静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元具有两个通道晶体管和四个连接在两个交叉耦合的反相器中的逻辑晶体管，该静态随机存取存储器单元由互补金属氧化物半导体技术形成；以及相变存储器部分，该相变存储器部分包括层叠在所述静态随机存取存储器单元上，以给该静态随机存取存储器单元提供非易失性的硫族化物材料，该相变存储器部分包括第一相变存储器元件和第二相变存储器元件，其中所述两个交叉耦合的反相器包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的源极直接耦合至所述第一相变存储器元件的第一节点，并且所述第二NMOS晶体管的源极直接耦合至所述第二相变存储器元件的第一节点，所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件中每一者均包括耦合至接地电位的第二节点；第一通道门晶体管，该第一通道门晶体管将位线耦合至第一NMOS晶体管的源极；以及第二通道门晶体管，该第二通道门晶体管将互补位线耦合至第二NMOS晶体管的源极，其中所述第一通道门晶体管和第二通道门晶体管的栅极被共同激活，以将所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件中一者编程为设置状态，而另一者编程为复位状态。