半导体基底、半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的示例性实施例提供了一种制造半导体基底的方法，所述方法包括：在基底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成金属材料层；在所述第一半导体层和所述金属材料层上形成第二半导体层；使用溶液蚀刻所述基底，以去除所述金属材料层和所述第一半导体层的一部分；以及在位于去除所述金属材料层的位置下方的第一半导体层中形成腔。

主权项

一种使用重复利用的基底制造发光装置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成多个化合物半导体层，化合物半导体层包括第一半导体层和形成在第一半导体层上的第二半导体层；在第一半导体层上形成图案化的层；在所述多个化合物半导体层上设置第二基底；在第一半导体层处将第一基底与所述多个化合物半导体层分离，由此暴露第一半导体层的第一表面；以及将第一半导体层的第一表面平坦化，其中，将第一基底与所述多个化合物半导体层分离的步骤包括：在第一半导体层中形成多个腔；以及蚀刻第一半导体层，以增大所述多个腔中的每个腔的体积，其中，在第二半导体层的形成过程中在图案化的层中形成孔，孔变深，从而在第一半导体层中形成所述多个腔。