真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法

摘要

本发明公开了真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；使真空室内的真空度至少达到7.9×10^-6mbar；向真空室内充入放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10^-3mbar～5.0x10^-3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，在玻璃基板形成陶瓷TiO_X基层；在纯氩气氛中，采在陶瓷TiO_X基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩中气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，在银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，在顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，在底层电介质层上形成顶层电介质层。

主权项

真空磁控溅射生产LOW‑E玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；对所述真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7.9×10^‑6mbar；向所述真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到2.8x10^‑3mbar～5.0x10^‑3mbar；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述玻璃基板上形成陶瓷TiO_X基层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述陶瓷TiO_X基层上形成底层阻挡保护层；在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在所述银层上形成顶层阻挡保护层；在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在所述顶层阻挡保护层上形成底层电介质层；在氮氩气氛中，采用SiAl靶溅射方法在所述底层电介质层上形成顶层电介质层。