| 发明名称 | 一种二维斯格明晶体的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种二维斯格明晶体的制备方法，将纳米磁性圆盘直接放到垂直各项异性材料上面，利用磁性材料之间的退磁能、交换能、各向异性能的相互作用的竞争获得斯格明晶体结构。尤其是钴的纳米磁性圆盘阵列放置到钴铂合金平面上，通过施加平行于薄膜表面且互相垂直的组合磁场的方法，使得纳米磁性圆盘阵列的每个磁性圆盘磁化的旋转方向统一。 | ||
| 申请公布号 | CN105161289A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510688564.3 | 申请日期 | 2015.10.21 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 孙亮;缪冰锋;丁海峰 |
| 分类号 | H01F41/18(2006.01)I;H01F41/30(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种二维斯格明晶体的制备方法，其特征是将纳米磁性圆盘直接放到垂直各项异性材料上面，利用磁性材料之间的退磁能、交换能、各向异性能的相互作用的竞争获得斯格明晶体结构。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||