基于陷阱特性的半导体电容器件及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了基于陷阱特性的半导体电容器件及其制备方法与应用，本发明半导体电容器件制备方法包括：选取高掺杂的N型或P型材料，在衬底表面生长一层氧化隔离层，通过光刻确定电容区、漏区以及沟道区，刻蚀掉沟道区域上面的氧化隔离层，通过离子注入法或扩散法形成P型衬底或者N型衬底，并将衬底刻蚀一部分并氧化形成氧化层；在电容区和漏区上生长一层氧化隔离层；通过光刻及刻蚀掉控制栅电极层和控制漏电极层位置上的氧化隔离层；通过金属淀积工艺，分别形成控制栅电极层、控制漏电极层和衬底电极层。本发明能够非常有效的控制电容区的充放电，可为具有极低功耗要求的特殊芯片提供的基本的半导体电容单元器件，兼容性好。

主权项

基于陷阱特性的半导体电容器件，其特征在于，包括电容区以及漏区，所述电容区和漏区之间设有上下叠放的氧化绝缘层和衬底构成的沟道区；所述电容区顶部覆盖氧化隔离层；所述沟道区底部设有衬底电极层；所述氧化绝缘层顶部覆盖控制栅电极层；所述漏区顶部设有控制漏电极层，所述控制漏电极层周边设有氧化隔离层。