| 发明名称 |
波长变换构件、成形体、波长变换装置、薄片构件、发光装置、导光装置及显示装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种尤其与先前相比可抑制位于发光元件之正上方之树脂层之黑变产生的波长变换构件、成形体、波长变换装置、薄片构件、发光装置、导光装置及显示装置。本发明之特征在于：其系具有收纳部(21)、配置于收纳部内之LED晶片(22)、及填充于收纳部内之树脂层(23)之LED装置(20)，且树脂层系具有靠近LED元件之侧之第1树脂层(24)与远离LED元件之侧之第2树脂层(25)而构成，光散射剂(27)至少含于第1树脂层(24)中，且量子点(29)未含于第1树脂层(24)中而含于第2树脂层(25)中。 |
| 申请公布号 |
TW201547065 |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
| 申请号 |
TW104111314 |
申请日期 |
2015.04.08 |
| 申请人 |
ＮＳ材料股份有限公司 NS MATERIALS INC. |
发明人 |
宫永昭治 MIYANAGA, AKIHARU;金海荣一 KANAUMI, EIICHI |
| 分类号 |
H01L33/50(2010.01);C09K11/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/50(2010.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
