发明名称 包括经由原子层沉积形成的多重缓冲层的太阳能电池及其制造方法;SOLAR CELL INCLUDING MULTIPLE BUFFER LAYER FORMED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括:一基板;一形成在所述基板上的背电极层;一形成在所述背电极层上的光吸收层;一缓冲层,其包括经由原子层沉积(ALD)形成在所述光吸收层上的无氧的一第一缓冲层和经由原子层沉积(ALD)形成在所述第一缓冲层上的一第二缓冲层;以及一形成在所述缓冲层上的前电极层。; a back electrode layer formed on the substrate; a light absorbing layer formed on the back electrode layer; a buffer layer including an O-free first buffer layer formed on the light absorbing layer by atomic layer deposition (ALD) and a second buffer layer formed on the first buffer layer by the atomic layer deposition (ALD); and a front electrode layer formed on the buffer layer.
申请公布号 TW201547041 申请公布日期 2015.12.16
申请号 TW104118740 申请日期 2015.06.10
申请人 SK新技术股份有限公司 SK INNOVATION CO., LTD. 发明人 李根 LEE, KEUN;郭元燮 KWACK, WON-SUB;金珍赫 KIM, JIN-HYOCK;金譓俐 KIM, HYE-RI;金鎭雄 KIM, JIN-WOONG
分类号 H01L31/0248(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/0248(2006.01)
代理机构 代理人 陈翠华
主权项
地址 南韩 KR