发明名称 Halbleiterbauelement und zugehöriges Verfahren zu Drahtisolation
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1210), einem Chip (120) auf dem Substrat und einem Draht (140), der mit dem Chip elektrisch gekoppelt ist, auf ein elektronisches System und eine damit ausgerüstete Speicherkarte sowie auf ein zugehöriges Verfahren zur Drahtisolation. Erfindungsgemäß beinhaltet das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von separaten Isolatorstrukturen (145) auf dem Draht, die jeweilige Querschnittteile des Drahts umgeben. Verwendung z.B. für gepackte Speicherbauelemente von Speicherkarten und anderen elektronischen Systemen.
申请公布号 DE102008026981(A1) 申请公布日期 2009.01.08
申请号 DE20081026981 申请日期 2008.05.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 YOO, CHEOL-JOON
分类号 H01L23/31;H01L23/49 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人
主权项
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