| 发明名称 | 图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：在滤色层上形成第一SiO<sub>2</sub>层；在第一SiO<sub>2</sub>层上图案化感光层；通过第一蚀刻处理图案化第一SiO<sub>2</sub>层；在该第一SiO<sub>2</sub>层上形成第二SiO<sub>2</sub>层；以及通过蚀刻该第二SiO<sub>2</sub>层而形成微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN100592496C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200710300703.6 | 申请日期 | 2007.12.25 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 赵殷相 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1、一种图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：在滤色层上形成第一SiO2层；在该第一SiO2层上图案化一感光层；通过第一蚀刻处理图案化该第一SiO2层；在经图案化的该第一SiO2层的表面上形成第二SiO2层；以及通过第二蚀刻处理蚀刻该第二SiO2层和该第一SiO2层，从而形成具有凸透镜形状的多个微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||