发明名称 |
用于离子注入系统的混合型磁性/静电偏转器 |
摘要 |
披露一种用于离子束的磁性偏转器,所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方,并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈,用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中,披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性,并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。 |
申请公布号 |
CN100592459C |
申请公布日期 |
2010.02.24 |
申请号 |
CN200480016510.2 |
申请日期 |
2004.06.14 |
申请人 |
艾克塞利斯技术公司 |
发明人 |
V·班威尼斯特;R·拉斯梅尔;黄扬强 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;H01J37/05(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
廖凌玲;黄力行 |
主权项 |
1.一种用于离子注入的混合型偏转器系统,包含:可操作用以偏转离子束远离射束轴的磁性偏转模组;可操作用以偏转离子束远离射束轴的静电偏转模组;以及基于一个或者多个输入控制信号可操作用以有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一个的控制器。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |