| 发明名称 | NAND闪存及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种NAND闪存及其制作方法。所述NAND闪存包括栅极结构以及其上的字线结构，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。所述NAND闪存的存储器单元间耦合电容较小，器件性能较高，而工艺成本也较低。 | ||
| 申请公布号 | CN101656255A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200810041826.7 | 申请日期 | 2008.08.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨海玩;蔡建祥 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种NAND闪存，包括栅极结构以及其上的字线结构，其特征在于，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的用于阻挡离子的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。 | ||
| 地址 | 201210上海市浦东新区张江路18号 | ||