发明名称 半导体存储器件及其延时信号生成方法
摘要 公开了一种延时信号生成方法和相应的半导体存储器件。该方法包括:接收用于半导体存储器件的时钟信号;接收模式特性信号;提供DQS;并根据模式特性信号调节DQS的前同步状态的持续时间,以增进DQS的选通状态与时钟信号的一致性。
申请公布号 CN100592422C 申请公布日期 2010.02.24
申请号 CN200610077358.X 申请日期 2006.04.29
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴光一;全永铉;张星珍;宋镐永
分类号 G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/40(2006.01)I 主分类号 G11C11/4063(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邵亚丽;李晓舒
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,在写操作期间存储数据,并在读取操作期间输出数据;模式设置装置,用于响应于在模式设置操作期间接收的代码信号,设置CAS延时信号、脉冲串长度信号和前同步周期信号;和延时信号生成装置,用于生成数据选通延时信号,该数据选通延时信号在存储于存储单元阵列的数据在对应于CAS延时信号的时钟周期被输出到半导体存储器件的外部部分之前被激活这样的时钟周期,该时钟周期通过将对应于脉冲串长度信号的时钟周期加到对应于前同步周期信号的时钟周期而获得。
地址 韩国京畿道