| 发明名称 | 具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成部分半导体器件结构(30)的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层(34)、绝缘层(32)和半导体基板。第一隔离沟槽(40)形成在半导体有源层中，并且将应变材料(42)淀积在第一沟槽的底部，其中应变材料包括双用膜。第二隔离沟槽(44)形成在半导体有源层中，其中第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料。应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。 | ||
| 申请公布号 | CN100592479C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200580034575.4 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 陈建;迈克尔·D·特纳;詹姆斯·E·瓦谢克 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种用于形成部分晶体管结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层、绝缘层和半导体基板；在半导体有源层中形成第一隔离沟槽，在所述第一隔离沟槽的底部上淀积应变材料，其中应变材料包括双用膜；并且在半导体有源层中形成第二隔离沟槽，其中所述第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料，并且其中应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||