半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够形成其大小接近设计大小的元件区域，抑制类似于栅极致漏极泄漏的现象，并且进一步抑制由于导电膜的氧化而施加至元件区域的压应力。沟槽形成在半导体衬底的主表面中。通过氧化每个沟槽的壁表面，第一氧化物膜形成在壁表面上。形成嵌入的导电膜以嵌入在沟槽中。嵌入的导电膜在包含活性氧化物质的气氛中被氧化，从而形成第二氧化物膜。第三氧化物膜通过CVD或涂敷方法形成在第二氧化物膜上。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底的主表面中生成沟槽；氧化所述沟槽的壁表面，从而在所述壁表面上形成第一氧化物膜；形成嵌入的导电膜，从而使其嵌入在所述沟槽中，所述沟槽的壁表面被所述第一氧化物膜所覆盖；在包含活性氧化物质的气氛中氧化所述嵌入的导电膜，从而形成第二氧化物膜；在所述第二氧化物膜上方形成第三氧化物膜。