| 发明名称 | 用于形成量子阱结构的远距离δ掺杂层的机制 | ||
| 摘要 | 一种制造量子阱器件的方法包括在量子阱的δ层的侧面上形成扩散阻挡层以将掺杂剂限制到量子阱。 | ||
| 申请公布号 | CN101657903A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200880010277.5 | 申请日期 | 2008.03.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·金;A·马宗达;J·卡瓦利罗斯;S·达塔;R·乔 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民;谢喜堂 |
| 主权项 | 1.一种制造量子阱器件的方法，包括在量子阱的δ层的侧面上形成扩散阻挡层以将掺杂剂限制到所述量子阱。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||