| 发明名称 | 转移方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种剥离方法和相应的转移方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以及以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠。还提供一种采用所述剥离或转移方法制造薄膜器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100592467C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200610101859.7 | 申请日期 | 1997.08.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 下田达也;井上聪;宫泽和加雄 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种将包含基板上的薄膜器件的被转移层转移到转移体上的转移方法，其特征在于，包括：在所述基板上形成分离层的第1工序；在所述分离层上形成包含所述薄膜器件的所述被转移层的第2工序；通过粘接层将包含所述薄膜器件的所述被转移层粘接到所述转移体上的第3工序；通过所述基板用多束光束来照射所述分离层从而在所述分离层内和/或界面处产生剥离的第4工序；以及使所述基板从所述分离层脱离的第5工序；其中，以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠，并且所述第一区域与所述第二区域的重合区域中的第一光束的光强度的最大值小于所述第一光束的最大光强度的90％，而所述第一区域与所述第二区域的重合区域中的第二光束的光强度的最大值小于所述第二光束的最大光强度的90％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||