发明名称 | 独立式静电掺杂碳纳米管器件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。 | ||
申请公布号 | CN100592546C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
申请号 | CN200610004107.9 | 申请日期 | 2006.02.20 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | J·U·李 |
分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 廖凌玲;胡 强 |
主权项 | 1、一种静电掺杂碳纳米管器件(110),包括:碳纳米管(112),所述碳纳米管被设置在基底(22)上以使得至少一部分所述碳纳米管是独立的,其中所述碳纳米管具有第一端(114)和第二端(116);直接设置在接近所述碳纳米管的所述第一端的位置处的第一金属触点(18);直接设置在接近所述碳纳米管的所述第二端的位置处的第二金属触点(20),其中所述碳纳米管被电耦接至所述第一和第二金属触点;设置在所述基底中且接近所述碳纳米管的所述第一端且与其相隔一定距离的第一金属电极(24),其中所述第一金属电极被电容性地耦接至所述碳纳米管的所述第一端且可操作以接收第一偏压以对所述碳纳米管的所述第一端进行静电掺杂;和设置在所述基底中且接近所述碳纳米管的所述第二端且与其相隔一定距离的第二金属电极(26),其中所述第二金属电极被电容性地耦接至所述碳纳米管的所述第二端且可操作以接收第二偏压以对所述碳纳米管的所述第二端进行静电掺杂。 | ||
地址 | 美国纽约州 |