CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，减少了浮置扩散区中电子损失的问题。CMOS图像传感器的制造方法包括在第一导电类型的半导体衬底上形成栅极。第二导电类型的第一扩散区形成在该半导体衬底内，其对准该栅极的一侧的边缘。间隔件可连接到该栅极的两个侧壁。第一导电类型的第二扩散层可形成在该第一扩散层内，在其中留下等于该间隔件宽度的距离。第二导电类型的第三扩散层可形成在该半导体衬底内，其对准该栅极的另一侧的边缘。第一导电类型的第四扩散层可形成在该第三扩散层上，而第一导电类型的第五扩散层可形成在该第三扩散层下。

主权项

1、一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在第一导电类型的半导体衬底上形成栅极；在该半导体衬底内形成第二导电类型的第一扩散层，该第一扩散层对准该栅极的第一侧的边缘；形成连接到该栅极侧壁的间隔件；在该第一扩散层内形成第一导电类型的第二扩散层，该第二扩散层以该间隔件的宽度与该栅极隔离开；在该半导体衬底内形成第二导电类型的第三扩散层，该第三扩散层对准该栅极的第二侧的边缘；以及在该第三扩散层上形成第一导电类型的第四扩散层，并在该第三扩散层下形成第一导电类型的第五扩散层。