| 发明名称 | 一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性，但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶GaAs薄膜的溅射制备方法，在保证非晶GaAs薄膜的完全无序结构前提下，防止组分偏析，提高非晶GaAs薄膜的光电性能和表面形貌，这为研制短波红外探测器、太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101643893A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910066822.9 | 申请日期 | 2009.04.15 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 么艳平;乔忠良;薄报学;高欣;陈甫;魏永平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;刘国军;李占国 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法，包括中温溅射制备和制备后热退火工艺。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 | ||