发明名称 法布里-珀罗型光纤压力传感器及其制作方法
摘要 本发明公开了一种法布里-珀罗型光纤压力传感器,由单晶硅片、玻璃圆管、光纤法兰盘和光纤插头构成,其特征是:单晶硅片与玻璃圆管的一个端口通过阳极键合工艺结合;玻璃圆管另一端的侧壁与光纤法兰盘的凹槽粘结。光纤插头连接到光纤法兰盘上,光纤插头上的陶瓷插针与单晶硅片的下表面形成法布里-珀罗腔。同时还公开了制作该传感器的方法,主要步骤为:将切割后的玻璃管与硅片放在键合炉上使其键合;在玻璃管的外壁涂上环氧树脂后将其粘接到光纤法兰盘的凹槽内;将光纤插头旋接于光纤法兰盘;光纤插头上的陶瓷插针与单晶硅片上的下表面形成法布里-珀罗腔。本发明制作简便,精度高,灵敏度高,可靠性好。
申请公布号 CN100588928C 申请公布日期 2010.02.10
申请号 CN200610096596.5 申请日期 2006.10.09
申请人 南京师范大学 发明人 王鸣;陈绪兴;葛益娴;戎华;倪小琦
分类号 G01L11/02(2006.01)I;G01L1/24(2006.01)I;G01D5/353(2006.01)I;G02B6/36(2006.01)I 主分类号 G01L11/02(2006.01)I
代理机构 南京知识律师事务所 代理人 汪旭东
主权项 1、一种制作法布里-珀罗型光纤压力传感器的方法,其加工工艺步骤如下:(a)将清洗过的<100>晶向的单晶硅片双面热氧化一层1微米的二氧化硅后,双面再淀积一层0.3微米的氮化硅;(b)单晶硅片顶面用厚光刻胶作保护层,光刻后用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉未保护的氮化硅,接着再用BOE腐蚀液即氢氟酸、氟化氨和水的溶液,按3∶6∶10配比,将暴露的二氧化硅去除;用丙酮去除光刻胶;(c)将单晶硅片放在KOH腐蚀溶液中使其减薄到180微米厚;(d)运用步骤(b)的方法依次刻蚀底面的氮化硅和二氧化硅,在单晶硅片的底面开一个窗口;(e)用反应离子刻蚀工艺在单晶硅片的底面刻蚀出对准槽;(f)分别用反应离子刻蚀工艺和BOE腐蚀液去除氮化硅和二氧化硅;(g)将玻璃圆管切割成小环,然后将切割后的玻璃圆管的端面进行抛光;(h)将切割后的玻璃圆管与单晶硅片放在键合炉上,其中单晶硅片接正电压,玻璃圆管接负电压;当单晶硅片和玻璃圆管紧密结合在一起时表明键合成功;(i)将单晶硅片的顶面用金刚砂打磨粗糙;(j)在玻璃圆管的外壁涂上环氧树脂后将其粘接到光纤法兰盘的凹槽内;(k)将光纤插头旋接于光纤法兰盘;光纤插头上的陶瓷插针与单晶硅片的下表面形成法布里-珀罗腔。
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