薄膜晶体管阵列基板制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，该制造方法形成栅极和栅极绝缘层后，先形成像素电极，然后利用不同光刻胶层高度和剥离方法形成半导体层和漏极金属层，最后形成钝化层薄膜，由于像素电极不需要贯穿钝化层薄膜和漏极相连，因而减少了一道光罩工序，简化制造过程，降低成本，提高产量。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：提供基板；形成第一金属层和第一光刻胶层于该基板上，利用第一道光刻形成栅极、栅焊盘；形成栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；形成透明导电层和第二光刻胶层于该栅极绝缘层上，利用第二道光刻形成像素电极、源极下电极和数据焊盘下电极，该像素电极、源极下电极位于栅极两侧，保留像素电极、源极下电极上的第二光刻胶层，该第二光刻胶层在栅极上方形成沟道；继续形成半导体层于该基板上，剥离第二光刻胶层及其上的半导体层，该沟道处形成半导体层，暴露该像素电极、源极下电极；继续形成第三金属层和第三光刻胶层于该基板上，利用第三道光刻形成漏极、源极上电极和数据焊盘上电极，该漏极和该像素电极相接触，该源极上电极和该源极下电极相接触，其中该栅极、该漏极、该半导体层、该源极下电极和该源极上电极构成薄膜晶体管；形成钝化层薄膜于该像素电极、该薄膜晶体管上。