| 发明名称 | 在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法 | ||
| 摘要 | 一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，此方法是先在绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；然后，在绝缘层上覆硅基板上形成绝缘材料，并填满沟渠；之后，进行第一蚀刻制程，移除部分绝缘材料，直到暴露出主动区的顶面，以及直到主动区之间的绝缘材料的顶面低于主动区的顶面。 | ||
| 申请公布号 | CN101645392A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200810210681.9 | 申请日期 | 2008.08.06 |
| 申请人 | 新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 | 发明人 | 赵崇斌 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘粉宝 |
| 主权项 | 1、一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，包括：在一绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；在所述绝缘层上覆硅基板上形成一绝缘材料，并填满所述沟渠；以及进行一第一蚀刻制程，移除部分所述绝缘材料，直到暴露出所述主动区的顶面，以及直到所述主动区之间的所述绝缘材料的顶面低于所述主动区的顶面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市公道五路二段158号5F-2 | ||