发明名称 | 基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器,该模数转换器由2<sup>n</sup>-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟信号采用并联方式输入,温度码的各位变换在一个单一的步骤内一次性完成;各编码器并联连接,输入各编码器的信号也采用并联方式输入,温度码到二进制码的变换也在一个单一的步骤内一次性完成。利用本发明,实现了极其简单的比较器电路和简单的编码器电路,大大简化了电路结构,降低了功耗,实现了超高速、低功耗的设计目标。 | ||
申请公布号 | CN101645709A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
申请号 | CN200810118014.8 | 申请日期 | 2008.08.06 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 戴扬;杜睿;杨富华 |
分类号 | H03M1/36(2006.01)I | 主分类号 | H03M1/36(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 1、一种基于共振隧穿二极管RTD与增强型高电子迁移率晶体管EHEMT的超高速全并行模数转换器,其特征在于,该模数转换器由2n-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟信号采用并联方式输入,温度码的各位变换在一个单一的步骤内一次性完成;各编码器并联连接,输入各编码器的信号也采用并联方式输入,温度码到二进制码的变换也在一个单一的步骤内一次性完成。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |