Verfahren zum Bilden von verbesserten EPI-Füllungen auf schmalen durch Isolierung begrenzten Source/Drain-Regionen und dadurch gebildete Strukturen,申请号DE200811000636T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Bilden von verbesserten EPI-Füllungen auf schmalen durch Isolierung begrenzten Source/Drain-Regionen und dadurch gebildete Strukturen
摘要
申请公布号	DE112008000636(T5)	申请公布日期	2010.01.28
申请号	DE200811000636T	申请日期	2008.03.28
申请人	INTEL CORPORATION	发明人	RANADE, PUSHKAR;ZAWADZKI, KEITH;AUTH, CHRISTOPHER
分类号	H01L21/336;H01L29/78	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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