| 发明名称 | 垂直存储器件及方法 | ||
| 摘要 | 描述了用于一种存储单元的方法和装置，该存储单元包括衬底、从衬底中垂直伸出的主体、包含垂直件和水平件的第一栅极以及包含垂直件和水平件的第二栅极。第一栅极相对主体横向放置，而第二栅极相对第一栅极横向放置。第一栅极的水平件与第二栅极的水平件重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN100585878C | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200680009015.8 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J-F·郑;P·卡拉瓦德 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈 斌 |
| 主权项 | 1.一种存储单元，包括：衬底；从所述衬底中垂直伸出的主体；包含垂直件和水平件的第一栅极，其中所述第一栅极相对所述主体横向放置；以及包含垂直件和水平件的第二栅极，其中所述第二栅极相对所述第一栅极横向放置；其中所述第一栅极的所述水平件与所述第二栅极的所述水平件重叠。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||