磁性存储单元的结构、存取方法以及磁性存储器电路

摘要

一种磁性存储单元结构，适用于双态模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份，其中该磁性固定迭层包括一上固定层与一下固定层。又，该上固定层与该下固定层之间有足够大的一磁性耦合力，使该上固定层的一磁化向量(magnetization)被固定维持在一参考方向。一隧道势垒层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层，位于该隧道势垒层之上。其中该磁性自由迭层包括一下自由层有一下磁化向量，以及一上自由层有一上磁化向量。当在不施加一操作磁场下，该下磁化向量与该上磁化向量为相互反平行，但是垂直于该上固定层的该参考方向。又在上自由层上可以设置一磁性偏压层。

主权项

1.一种磁性存储单元结构，包括：一磁性固定迭层，包括一上固定层与一下固定层，上述上固定层具有一磁化向量，而上述下固定层具有另一磁化向量，且上述上固定层与上述下固定层之间有足够大的一磁性耦合力并还有一磁性耦合间隔层，使上述上固定层的所述磁化向量被固定维持在一参考方向；一隧道势垒层，位于上述磁性固定迭层之上；以及一磁性自由迭层，位于上述隧道势垒层之上，其中上述磁性自由迭层包括一下自由层有一下磁化向量，以及一上自由层有一上磁化向量，上述下自由层与上述上自由层之间以另一磁性耦合间隔层隔离；其中在不施加一操作磁场下，上述下磁化向量与上述上磁化向量为相互反平行，但是垂直于上述上固定层的上述参考方向。