| 发明名称 | 电子照相感光构件和电子照相设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。在具有光导电层和设置于光导电层上的包括氢化非晶碳化硅的表面层的电子照相感光构件中，在该表面层中，碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下，在该表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×10<sup>22</sup>原子/cm<sup>3</sup>以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101634817A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910161021.0 | 申请日期 | 2009.07.27 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 小泽智仁;秋山和敬;西村悠 |
| 分类号 | G03G5/08(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I;G03G15/02(2006.01)I | 主分类号 | G03G5/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;闫俊萍 |
| 主权项 | 1.一种电子照相感光构件，其包括光导电层和设置于该光导电层上的包含氢化非晶碳化硅的表面层；在所述表面层中，碳原子原子数(C)与硅原子原子数(Si)和碳原子原子数(C)的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下；以及在所述表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为6.60×1022原子/cm3以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号 | ||