具有自对准损伤层的器件结构以及该器件结构的形成方法

摘要

具有自对准损伤层的器件结构和形成这样的器件结构的方法。所述器件结构包括在衬底的所述半导体材料中界定的第一导电类型的第一和第二掺杂区。相反导电类型的第三掺杂区横向分离第一掺杂区和第二掺杂区。栅极结构设置于衬底的顶表面上并且具有与第三掺杂区的垂直堆叠关系。第一晶体损伤层在衬底的半导体材料内被界定。所述第一晶体损伤层具有被衬底的半导体材料包围的第一多个空腔。第一掺杂区被垂直设置于第一晶体损伤层和衬底的顶表面之间。第一晶体损伤层不横向延伸进入第三掺杂区。

主权项

1.一种在具有顶表面的半导体材料的衬底中形成的器件结构，所述器件结构包括：在所述衬底的半导体材料中界定的第一导电类型的第一掺杂区；在所述衬底的半导体材料中界定的第一导电类型的第二掺杂区；横向设置于在所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的所述衬底的半导体材料中的第三掺杂区，所述第三掺杂区的半导体材料具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述衬底的顶表面上的栅极结构，所述栅极结构具有与所述第三掺杂区垂直堆叠的关系；和所述衬底的半导体材料内的第一晶体损伤层，所述第一晶体损伤层包括被所述衬底的半导体材料所包围的第一多个空腔，其中至少部分所述第一掺杂区垂直设置于所述第一晶体损伤层和所述衬底的顶表面之间，并且所述第一晶体损伤层不在所述栅极结构下面横向延伸显著的距离。