蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了蓝宝石衬底粗糙化发光二极管的制造方法，包括提供一倒装焊基板和一含正面和背面的蓝宝石衬底，以及通过湿法腐蚀在蓝宝石衬底的正面形成第一粗糙面；在粗糙化的衬底上外延生长III-族氮化物半导体多层薄膜形成LED芯片，自衬底正面向外依次生长GaN结晶层、GaN二维平化层、n型GaN层、发光层和p型GaN层；对LED芯片的p型GaN层进行部分刻蚀至n型GaN层；在LED芯片上沉积p、n电极；在p、n电极上沉积若干压焊金属凸点；在衬底背面形成第二粗糙面；LED芯片通过倒装焊金属凸点与倒装焊基板焊接。本发明粗糙化的蓝宝石衬底背面是通过湿法腐蚀的方法制作的。工艺简便、效率高。可以显著提高LED的取光效率。

主权项

1、蓝宝石衬底粗糙化发光二极管的制造方法，所述方法包括提供一倒装焊基板和一含正面和背面的蓝宝石衬底，并进行如下步骤：步骤一，通过湿法腐蚀在所述蓝宝石衬底的正面形成第一粗糙面；步骤二，在粗糙化的所述衬底上外延生长III-族氮化物半导体多层薄膜形成LED芯片，自所述衬底正面向外依次生长GaN结晶层、GaN二维平化层、n型GaN层、发光层和p型GaN层；步骤三，对所述LED芯片的p型GaN层进行部分刻蚀至所述n型GaN层；步骤四，在所述LED芯片上沉积p、n电极；步骤五，在所述p、n电极上沉积若干压焊金属凸点；步骤六，在所述衬底背面形成第二粗糙面；步骤七，所述LED芯片通过所述倒装焊金属凸点与所述倒装焊基板焊接。