| 发明名称 | 非易失性半导体器件和包括该器件的存储器系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性半导体器件和包括该器件的存储器系统。该非易失性半导体存储器件包括垂直阵列结构，该垂直阵列结构包括位线和在与位线相同的方向上布置的源线，每个源线对应于位线，以及在每个位线和源线对之间垂直形成的存储器单元串。多个存储器单元串可以在垂直方向上堆叠，并且相邻的存储器单元串可以共享位线或源线。 | ||
| 申请公布号 | CN101635171A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910160933.6 | 申请日期 | 2009.07.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吴东妍;李云京 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种垂直阵列存储器结构，包括：多个位线；多个源线，对应于所述多个位线，布置在与所述位线相同的方向上；以及存储器单元串，形成在每个所述位线和源线对之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||