发明名称 层叠正温度系数热敏电阻
摘要 本发明提供一种层叠正温度系数热敏电阻,具有:陶瓷基体,其以主成分为BaTiO<sub>3</sub>形成并且交替层叠多个含有了半导体化剂的半导体陶瓷层(3a~3e)与内部电极(4a~4d),且利用半导体陶瓷层(3a、3e)形成了最外层。并且,最外层形成保护层(5)并且利用内部电极(4a、4d)间所夹持的多个所述半导体陶瓷层而形成有效层(6)。保护层(5)含有具有比有效层(6)所含有的半导体氧化剂大的离子半径的半导体化剂,保护层(5)的空孔率比有效层(6)的空孔率低。优选在保护层(5)表面的空孔上形成玻璃膜,保护层(5)的空孔率在10%以下。由此,能够实现不会产生剥层、防止助熔剂浸入到半导体陶瓷层、确保希望的电阻变化率的层叠正温度系数热敏电阻。
申请公布号 CN101636798A 申请公布日期 2010.01.27
申请号 CN200880008620.2 申请日期 2008.03.18
申请人 株式会社村田制作所 发明人 三原贤二良;岸本敦司
分类号 H01C7/02(2006.01)I 主分类号 H01C7/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种层叠正温度系数热敏电阻,具有:陶瓷基体,其交替层叠多个以BaTiO3为主成分形成并且含有半导体化剂的半导体陶瓷层与内部电极,且用半导体陶瓷层形成了最外层,所述最外层形成作为保护层的第1陶瓷部,将位于所述陶瓷基体的厚度方向最外的内部电极层所夹持的多个所述半导体陶瓷层作为有效层,并且用至少包括所述有效层的半导体陶瓷层形成第2陶瓷部,所述第1陶瓷部含有具有比所述第2陶瓷部所含有的半导体化剂大的离子半径的半导体化剂,所述第1陶瓷部的空孔率比所述第2陶瓷部的空孔率低。
地址 日本京都府
您可能感兴趣的专利