| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种发光二极管及其工艺，其包含金属反射层，以提高光线在发光二极管内部的反射效率，同时也可降低电阻，降低功率损耗。另外，上述金属反射层与半导体之间还包含缓冲层，此缓冲层为金属与非金属透明介质的混合结构，以降低半导体与金属间的应力，减少晶粒崩裂的可能。 | ||
| 申请公布号 | CN101635325A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200810134401.0 | 申请日期 | 2008.07.22 |
| 申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 洪梓健;沈佳辉;马志邦;徐智鹏;詹世雄 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包含：发光结构，包含第一半导体层与第二半导体层，分别位于该发光结构的两侧；缓冲层，位于该第一半导体层上，并且该缓冲层包含介质阵列与金属阵列，其中该金属阵列位于该介质阵列间的空隙；以及反射层，位于该缓冲层上，以反射通过该介质阵列透射的光线。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||