发光二极管的出光结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的出光结构，在P型半导体层上面有成核层，所述成核层上表面有许多向上的小突起，所述成核层上面有粗化层，所述粗化层上表面有与所述成核层上表面的小突起相对应的向上的小突起，所述粗化层上有一层随粗化层表面的小突起起伏的接触层，所述P型电极设置在所述接触层上。本发明还公开了一种上述的发光二极管的出光结构的制作方法，在生长P型GaN之后，依次生长表面突起的成核层、粗化层，然后制作接触层和P型电极。本发明通过上述方法制作发光二极管的出光结构，其步骤简单，易于实现，制作出的发光二极管的出光结构出光效率高，不会发生尖端放电现象，并且具有很好的晶体结构，大大的提高了发光二极管的性能。

主权项

1.一种发光二极管的出光结构，其特征在于，在P型半导体层上面有成核层，所述成核层上表面有许多向上的小突起，所述成核层上面有粗化层，所述粗化层上表面有与所述成核层上表面的小突起相对应的向上的小突起，所述粗化层上有一层随粗化层表面的小突起起伏的接触层，所述P型电极设置在所述接触层上。