一种柔性太阳能电池及制造方法

摘要

本发明专利涉及在改性的高透光率的柔性基片上制造太阳能光伏电池，属于柔性非晶硅薄膜太阳能电池制造技术领域。本发明以提高光电转化效率为目的，用改性的，透光率90％-93％的，聚酰亚胺PI基片作衬底，并改变非晶硅PIN薄膜叠层结构，在350℃以上溅射沉积透明TCO导电膜，高透光率的PI基片，用来制备单结或多结的柔性非晶硅电池。本发明积极效果在于置备和应用改性的PI基片，在温度为350℃-400℃条件下，耐温4小时不变形。显著地提高了柔性非晶硅太阳能电池的光电转换效率和性价比。

主权项

1、一种柔性太阳能电池，包括单结或多结构成的薄膜非晶硅电池，其特征在于以改性聚酰亚胺透明基片为衬底的柔性薄膜非晶硅电池，包括在改性聚酰亚胺透明基片的透明导电膜上顺序沉积至少一个PIN结，还包括一层金属膜构成柔性非晶硅太阳能电池，所说的PIN结是同质结或异质结，所说的衬底是按摩尔比配方：3，3`-三氟代二甲基-4，4`二氨基二苯甲烷∶N，N-二甲基乙酰胺∶2，3，3`，4`-联苯四甲酸二酐＝(0.9～1.1)∶(45～50)∶(0.9～1.1)形成的改性聚酰亚胺透明基片。