用于蒸发的装置、用于蒸发的坩埚和在基片上生长膜的方法

摘要

本发明涉及一种用于蒸发的装置，包括真空腔(12)、限定基片平面(26)的基片台(2)和至少一个喷射单元(6)，该喷射单元(6)包括具有容积的坩埚(7)，其中所述喷射单元、坩埚和基片台设置在真空腔内。该坩埚包括第一端(14)、第二端(15)、至少一个侧壁(16)和孔隙(17)。在根据本发明的典型装置中，所述孔隙位于第一端或位于相比于到第二端更靠近第一端的侧壁中，该第二端布置为比第一端更靠近该基片平面。本发明还涉及用于蒸发的坩埚，其具有容积，包括第一端、第二端、至少一个侧壁和孔隙。本发明还涉及在基片上生长膜的方法。

主权项

1、用于蒸发的装置，包括真空腔(12)、限定基片平面(26)的基片台(2)和至少一个喷射单元(6)，该喷射单元(6)包括具有容积的坩埚(7)，其中所述喷射单元、坩埚和基片台设置在所述真空腔内，该坩埚包括-第一端(14)，-第二端(15)，-至少一个侧壁(16)，-孔隙(17)，其中所述孔隙位于第一端或位于相比于到第二端更靠近第一端的侧壁内，该第二端布置为比第一端更靠近所述基片平面。