发明名称 |
从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法。属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜制备领域。立方氮化硼薄膜为氮化硼中最难直接制备的材料,始终制约着立方氮化硼薄膜从实验室走向工业化的进程。本发明第一步:将衬底进行清洗之后,在所选的衬底材料上沉积一层硼薄膜;第二步:对硼薄膜在氮气气氛中进行加热,使硼膜和氮气反应,生成立方相氮化硼薄膜,加热温度为850~1100℃;反应时间为30~150分钟。本发明制备的立方氮化硼薄膜中立方相含量(立方相的体积分数)大于90%。 |
申请公布号 |
CN101597759A |
申请公布日期 |
2009.12.09 |
申请号 |
CN200910088909.6 |
申请日期 |
2009.07.13 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
邓金祥;郭清秀;杨冰;赵卫平 |
分类号 |
C23C28/04(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C01B21/064(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘 萍 |
主权项 |
1.从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法,其特征在于:第一步:将衬底进行清洗之后,在衬底材料上沉积一层硼薄膜;第二步:硼薄膜在氮气气氛中进行加热,使薄硼膜和氮气反应,生成立方相氮化硼薄膜,加热温度为850~1100℃;反应时间为30~150分钟。 |
地址 |
100124北京市朝阳区平乐园100号 |