薄膜晶体管阵列面板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容，且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中，该面板包括：基板；在基板上的多个半导体区域，其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域；栅极绝缘层，其覆盖至少部分半导体区域；包括栅极电极的栅极线，其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上；包括存储电极的存储线，其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上；包括源极电极的数据线，其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上；漏极电极，其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上；以及象素电极，其连接到漏极电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；在所述基板上的多个半导体区域，所述半导体区域包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以不同的第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域；栅极绝缘层，其覆盖至少部分所述半导体区域；包括栅极电极的栅极线，所述栅极电极至少部分地交迭所述沟道区域且形成在所述栅极绝缘层上；包括存储电极的存储线，所述存储电极至少部分地交迭所述存储区域且形成在所述栅极绝缘层上；包括源极电极的数据线，所述源极电极连接到所述源极区域且形成在所述栅极绝缘层上；漏极电极，其连接到所述漏极区域和所述虚设区域且形成在所述栅极绝缘层上；以及象素电极，其连接到所述漏极电极。