一种单模光纤及其制造方法

摘要

本发明涉及一种单模光纤及其制造方法，包括有芯层、内包层、下陷包层和纯SiO₂玻璃外包层，其特征在于所述的芯层由掺锗和氟的石英玻璃组成，芯层直径a为8.0～8.8微米，Δ₁为0.35～0.38％，Δ_F为-0.09±0.02％；所述的内包层由掺锗和氟的石英玻璃组成，内包层直径b为18～21微米，Δ₂为0±0.02％，所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成，下陷包层直径c为26～36微米，在下陷包层外界面的Δ₃₂为-0.22％至-0.35％，在下陷包层内界面的Δ₃₁为-0.20％至-0.35％，且Δ₃₂≤Δ₃₁。本发明在提高光纤抗弯曲性能的同时，可使光纤在弯曲过程中因弯曲所引起的附加应力不会轻易传递到芯层区域而引起衰减的增加，从而有效提高光纤的机械性能和使用寿命。

主权项

1、一种单模光纤，包括有芯层、内包层、下陷包层和纯SiO2玻璃外包层，其特征在于在芯层外依次设置内包层和下陷包层，所述的芯层由掺锗和氟的石英玻璃组成，芯层直径a为8.0～8.8微米，相对折射率差Δ1为0.35～0.38％，氟的贡献量ΔF为-0.09±0.02％；所述的内包层由掺锗和氟的石英玻璃组成，内包层直径b为18～21微米，相对折射率差Δ2为0±0.02％，所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成，下陷包层直径c为26～36微米，相对折射率差：在下陷包层外界面的Δ32为-0.22％至-0.35％，在下陷包层内界面的Δ31为-0.20％至-0.35％，且Δ32≤Δ31。