形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备

摘要

本发明提供一种形成氮化硅膜的方法。根据本发明，通过对含硅/氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解来在低沉积温度(例如小于550℃)下沉积氮化硅膜，以形成氮化硅膜。然后利用氢自由基对热沉积的氮化硅膜进行处理以形成处理后的氮化硅膜。

主权项

1.一种形成氮化硅膜的方法，包括：将衬底加热到550℃或更低的温度；在将所述衬底加热到550℃或更低温度的同时，对含硅和氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解，从而在所述衬底上形成氮化硅膜，其中所述含硅和氮源气体或者含硅源气体选自有机乙硅烷、有机甲硅烷、有机氨基乙硅烷和有机氨基甲硅烷；并且利用氢自由基来处理所述氮化硅膜。