发明名称 |
芯片功耗的一种测量方法 |
摘要 |
芯片功耗的一种测量方法,包括如下步骤:将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境;将待测芯片通电工作一定时间,使用待测芯片工作稳定;分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度;将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度,代入下式,计算出待测芯片的功耗。P=(T<sub>C</sub>-T<sub>A</sub>)/(θ<sub>jA</sub>-θ<sub>jC</sub>×α),式中θ<sub>jA</sub>、θ<sub>jC</sub>和α是芯片的固有参数,可以通过芯片资料或由芯片供应商提供;T<sub>C</sub>为芯片的壳温;T<sub>A</sub>为芯片附近空气环境温度。本发明具有不用测量芯片的电压和电流,仅仅只通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温度,就可获得芯片功耗大小的优点。 |
申请公布号 |
CN101598750A |
申请公布日期 |
2009.12.09 |
申请号 |
CN200810067631.X |
申请日期 |
2008.06.03 |
申请人 |
优仪半导体设备(深圳)有限公司 |
发明人 |
邓顶阳;陈志辉 |
分类号 |
G01R21/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01R21/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市千纳专利代理有限公司 |
代理人 |
胡清方 |
主权项 |
1、芯片功耗的一种测量方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境;(2)、将待测芯片通电工作一定时间,使用待测芯片工作稳定;(3)、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度;(4)、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度,代入下式,计算出待测芯片的功耗<maths id="math0001" num="0001" ><math><![CDATA[ <mrow> <mi>P</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>A</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>θ</mi> <mi>jA</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>θ</mi> <mi>jC</mi> </msub> <mo>×</mo> <mi>α</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>]]></math></maths>上式中θjA、θjC和α是芯片的固有参数,可以通过芯片资料或由芯片供应商提供;TC为芯片的壳温;TA为芯片附近空气环境温度。 |
地址 |
518000广东省深圳市南山区科技园长城科技大厦1号楼3楼 |