一种CMOS嵌入式肖特基二极管制造方法

摘要

一种嵌入CMOS的肖特基二极管的制造方法，所述CMOS的制造过程中包括利用PESD光罩形成PESD区域，所述方法首先利用形成所PESD光罩在所述PESD区域的上方形成的淡N阱，作为所述肖特基二极管的阴极区；再在所述淡N阱上淀积金属层，作为所述肖特基二极管的阳极区。本发明的肖特基二极管使用现有存在的PESD光罩，不需要额外的光罩，仅增加了一步离子植入过程，同时该离子植入过程可以自由设计而得到理想的二极管衬底掺杂浓度和分布，因此使用本发明只需要增加较少的成本而可以制造出接近理想情况的肖特基二极管，同时不会对其ESD区域造成负面影响。

主权项

1.一种嵌入CMOS的肖特基二极管的制造方法，所述CMOS的制造过程中包括利用PESD光罩形成PESD区域，其特征在于：(a)利用所述PESD光罩将在需要制造所述肖特基二极管的区域打开，在所述PESD区域的上方形成的淡N阱，作为所述肖特基二极管的阴极区；(b)在所述淡N阱上淀积金属层，作为所述肖特基二极管的阳极区。