发明名称 |
反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置 |
摘要 |
本发明的发光二极管反射盖形成方法及其结构提供第一、二生胚结构该第一、二生胚结构并分别设有第一、二开孔图案,其第二开孔图案的开孔率小于第一开孔图案的开孔率,并将第二生胚结构设置于第一生胚结构上,使第一、二开孔图案呈上下重叠的位置关系,而第二生胚结构涂布有一金属层,最后再使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上,使金属层即为反射盖孔的孔壁。 |
申请公布号 |
CN100568556C |
申请公布日期 |
2009.12.09 |
申请号 |
CN200610141067.2 |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
鋐鑫电光科技股份有限公司 |
发明人 |
张正兴;谢荣修;陈国湖;李敏丽 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;C04B41/88(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京申翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
周春发 |
主权项 |
1、一种发光二极管的反射盖的形成方法,包含:一第一生胚结构,其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案;一第二生胚结构,该第二生胚结构具有一第二开孔图案,其第二开孔图案的开孔率小于第一开孔图案的开孔率,并设置于该第一生胚结构上,使第一、二开孔图案呈上下重叠的位置关系;一金属层于该第二生胚结构上,具体是形成在承载凹面的侧壁上;以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。 |
地址 |
台湾省桃园县平镇市工业五路3号3楼 |