半导体存储器件及其电容器的形成方法

摘要

本发明公开了一种可以避免存储节点漏斗缺陷或归因于阻挡层丧失的缺陷的半导体器件，以及其电容器的制造方法。所述半导体存储器件包括：在半导体衬底上的层间电介质层中形成的接触孔；形成于所述接触孔的底部上的阻挡层；由填充所述接触孔的其余部分的导电层形成的第一存储节点接触；形成于用第一存储节点接触形成的结果上以便与所述第一存储节点移位给定的距离的第二存储节点；在所述第二存储节点接触之间形成的绝缘层；与所述第二存储节点接触连接并且以单位单元为基隔离的存储电极；和覆盖所述储存电极的电介质层和板电极。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：各自具有底部并且形成于半导体衬底上的层间电介质层中的多个接触孔；形成于各接触孔的底部上的阻挡层；各自包括填充所述接触孔的导电层的多个第一存储节点接触；形成于所述第一存储节点接触上方，连接至所述第一存储节点接触，并且与所述第一存储节点接触移位预定距离的多个第二存储节点接触；形成于所述第二存储节点接触之间的绝缘层；连接到所述第二存储节点接触并且以单位单元为基隔离的存储电极；和覆盖所述存储电极的电介质层和板电极。