| 发明名称 | 一种半导体加工装置以及用于该装置中的喷嘴结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体加工装置以及相应的喷嘴结构，其中的喷嘴包括内径为柱状的本体，本体上还设有气体入口和气体出口，所述气体入口位于所述本体的上部边缘，所述气体出口位于所述本体侧壁的底部，在所述本体的侧壁中或侧壁的内侧形成有气流通道，该气流通道与所述气体入口和气体出口相连通，并且所述气体出口的出口方向与本体的中心垂直线成0～85度角。本发明可使从喷嘴向下喷出的气体和干涉测量装置向下照射的光路相互分开，避免了由于在喷嘴正下方处等离子体密度较大而对喷嘴的轰击，进而防止了气体喷嘴的设计对干涉测量装置应用效果的干扰，并为气体喷嘴的设计和优化提供更灵活的空间，使得喷嘴的结构简单并且效果明显。 | ||
| 申请公布号 | CN101585019A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200810111922.4 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陈卓 |
| 分类号 | B05B1/14(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | B05B1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王昭林;崔 华 |
| 主权项 | 1、一种半导体加工装置，所述半导体加工装置上设有一喷嘴，所述喷嘴包括内径为柱状的本体(1)，本体(1)上还设有气体入口(3)和气体出口(4)，其特征在于：所述气体入口(3)位于所述本体(1)的上部边缘，所述气体出口(4)位于所述本体(1)侧壁(10)的底部，在所述本体(1)的侧壁(10)中或侧壁(10)的内侧形成有气流通道(101)，该气流通道(101)与所述气体入口(3)和气体出口(4)相连通，并且所述气体出口(4)的出口方向与本体(1)的中心垂直线(5)成0～85度角。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||