| 发明名称 | 半导体器件及形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的方法，包括提供衬底(4)，在衬底(4)上方提供第一导电类型的半导体层(6)，在半导体层(6)中形成第一导电类型的第一区(8)，以及在半导体层(6)上方和第一区(8)的一部分上方形成栅(26)。该栅标示出第二导电类型的器件的表面(10)的第一部分(58)的外形，掺杂剂被提供到标示出外形的第一部分(58)，以在半导体层(6)中提供第二区(12)。将第一区(8)和第二区(12)驱入到半导体层，以便形成第一导电类型的预先控制区(8)和第一导电类型的渐变体区(12)，其中，第一导电类型的预先控制区(8)在栅(26)的一部分下方延伸，并且第一导电类型的渐变体区(12)在预先控制区(8)下方延伸。通过向标示出外形的第一部分(58)提供第二导电类型的掺杂剂，来形成体区(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN101589471A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200780049284.1 | 申请日期 | 2007.01.04 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 叶夫根尼·斯特凡诺夫;阿兰·德朗;让-米歇尔·雷内斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底(4)；在所述半导体衬底(4)上方提供第一导电类型的半导体层(6)；在所述半导体层(6)中形成第一导电类型的第一区(8)；在所述半导体层(6)上方和所述第一区(8)的一部分上方形成控制区(26)；在所述半导体层上方形成掩模层，所述掩模层在所述第一区(8)的一部分上方标示出所述半导体层(6)的表面(10)的第一部分(58)的外形；对标示出外形的所述第一部分(58)提供第二导电类型的半导体材料，以在所述半导体层(6)中提供第二区(12)；将所述第一区(8)和所述第二区(12)驱入到所述半导体层中，以便形成第一导电类型的预先控制区(8)和第二导电类型的渐变体区(12)，其中，所述第一导电类型的预先控制区(8)从所述表面(10)延伸到所述半导体层中，并且在所述控制区(26)的一部分下方，所述第二导电类型的渐变体区(12)具有第一掺杂浓度，延伸到所述预先控制区(8)下方的所述半导体层中；向所述标示出外形的第一部分(58)提供第二导电类型的半导体材料，以提供体区(14)，所述体区(14)具有第二掺杂浓度，延伸到所述预先控制区(8)中；以及在所述体区(14)中形成第一导电类型的电流电极区(18)。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||