图象传感器以及形成有源像素传感器单元结构的方法

摘要

本发明提供一种新型有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。具体地，形成具有预掺杂转移栅极的图像传感器APS单元，其避免了由后续制造步骤引起的V_t的变化。根据本发明的优选实施例，图像传感器APS单元结构包括掺杂的p型钉扎层和n型掺杂栅极。另外提供一种形成具有预掺杂转移栅极和掺杂钉扎层的图像传感器APS单元的方法。预掺杂转移栅极防止部分栅极变成p型掺杂。

主权项

1、一种图象传感器，包括：衬底，其包括第二导电类型的聚集阱、形成在所述聚集阱上的第一导电类型的钉扎层以及第二导电类型的扩散区；栅极电介质，其形成在所述衬底上；以及栅极导体，其形成在所述栅极电介质上，具有与所述聚集阱相邻的第一侧和与所述扩散区相邻的第二侧，所述栅极导体包括具有第一浓度的第二导电类型掺杂剂材料的第一区、具有不同于所述第一浓度的第二浓度的所述第二导电类型掺杂剂材料的第二区，其中所述第一区形成在所述栅极导体的第一侧上，且所述第二区形成在所述栅极导体的第二侧上。